碳化硅外观试验

检测项目

1.宏观表面缺陷检测：裂纹、缺口、崩边、凹坑、划痕、表面沾污、色差、云雾、橘皮。

2.微观表面形貌分析：表面粗糙度、台阶高度、刻蚀残留物、图形边缘粗糙度、表面起伏。

3.颗粒与污染物检测：表面颗粒尺寸、颗粒数量密度、有机残留、金属污染、氧化物残留。

4.几何尺寸与形位测量：晶圆直径、厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、局部平整度。

5.边缘与背面检测：边缘碎裂、边缘轮廓、背面损伤、背面金属层完整性、背面污染。

6.薄膜外观评价：金属薄膜连续性、均匀性、反射率、颜色一致性、起泡、剥落。

7.光刻图形外观检测：图形完整性、线宽与线距、套刻精度、图形桥接、图形缺失。

8.切割道与划片槽检测：切割道清洁度、划片槽宽度与深度、槽内残留、边缘毛刺。

9.芯片封装外观检验：封装体表面缺陷、引脚共面性、引脚氧化、标记清晰度、填充物溢出。

10.缺陷分类与统计：致命缺陷识别、次要缺陷分类、缺陷密度分布图、缺陷来源分析。

检测范围

碳化硅单晶衬底、碳化硅同质外延片、碳化硅功率器件晶圆、碳化硅肖特基二极管芯片、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管芯片、碳化硅模块功率器件、碳化硅晶锭、研磨抛光后的碳化硅片、经过刻蚀或离子注入的碳化硅片、带有金属化层的碳化硅器件、碳化硅晶圆切割后的单颗芯片、陶瓷封装碳化硅器件、塑封碳化硅器件、碳化硅外延层测试片

检测设备

1.自动光学检测系统：用于晶圆表面宏观缺陷的高速、全自动扫描与识别；具备高分辨率成像与智能缺陷分类算法。

2.激光扫描共聚焦显微镜：用于表面三维形貌的非接触式高精度测量；可分析粗糙度、台阶高度与微观轮廓。

3.扫描电子显微镜：用于表面微观形貌与纳米级缺陷的高分辨率观察；配备能谱仪可进行微区成分分析。

4.表面颗粒检测仪：基于激光散射原理，用于定量检测晶圆表面颗粒的尺寸与数量分布。

5.晶圆几何参数测量系统：集成多探头，用于同步测量晶圆的厚度、弯曲度、翘曲度等全局形变参数。

6.白光干涉轮廓仪：用于表面粗糙度、薄膜台阶高度及微观形貌的快速、大面积、非接触测量。

7.红外显微镜：利用红外光穿透半导体材料的特性，用于检测内部缺陷、裂纹及材料均匀性。

8.X射线荧光光谱仪：用于表面膜层厚度及成分的无损检测，以及痕量金属污染物的定性定量分析。

9.光学显微镜：用于微观缺陷的目视检测、拍照记录及初步测量，是基础且重要的观察工具。

10.原子力显微镜：用于表面原子级分辨率的形貌表征，可测量极低的表面粗糙度与纳米结构。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.